Высота потенциального барьера p-n перехода


 

 

 

 

Высота потенциального барьера зависит от концентрации примесей, так как при ее изменении изменяется уровень Ферми4. Физическая энциклопедия. Потенциальный барьер препятствует диффузионному движению носителей через переход. При подаче на p-n-переход внешнего напряжения можно управлять. P-n-переход характеризуется двумя основными параметрами: Высота потенциального барьера.Это энергия, которой должен обладать свободный заряд, чтобы преодолеть потенциальный барьер 4.27. Возникновение потенциального барьера. С повышением температуры высота потенциального барьера уменьшается, с увеличением концентрации примеси и ширины запрещенной зоны потенциальный барьер возрастает. высота потенциального барьера. Поэтому р—n-переход оказывается сильно обедненным носителями тока и приобретает большое сопротивление.Величина Iнeocн определяется числом рождающихся ежесекундно неосновных носителей и от высоты потенциального барьера почти не зависит. диффузионный ток и ток дрейфа В условиях равновесия (VG 0) высота потенциального барьера p-n перехода будет.Рассмотрим распределение свободных носителей - электронов и дырок в области пространственного заряда p-n перехода. Потенциальный барьер уменьшится и станет равным . При этом высота потенциального барьера также возрастает и становится равной jк u (рис. Высоту потенциального барьера (контактную разность потенциалов) определим из условия (2.2). 1. Высота потенциального барьера j0 зависит от концентрации носителей.nn Iдиф pn.

Из рисунка видно, что в рn- переходе возникает потенциальный барьер, равный контактной разнице потенциалов , которую называют высотой потенциального барьера и выражают в вольтах. 1.7.2. Если к p-nпереходу приложено напряжение U в пропускном направлении 2.2 Высота потенциального барьера p-n перехода в равновесном состоянии (контактная разность потенциалов).n-слой: nnoNД1015 см3, pn0 ni2/nno1011см3. высота потенциального барьера, возникающего в р-n-переходе и равная контактной разности потенциалов.25. p - n-ПЕРЕХОД. 3.1.1.

(2.7). Прежде всего, рассмотрим два образца полупроводника с электронной иДругим, не менее важным параметром равновесного состояния является высота потенциального барьера (контактная разность потенциалов) 0. 1.7, б), высота потенциального барьера уменьшается: Uб Uк - Uпp.При прямом напряжении p-n переход, кроме барьерной емкости, обладает диффузионной емкостью Сдиф. Высота потенциального барьера взята для примера 0,8 эВ, а. По окончании процесса заряда или разряда барьерной емкости ток через. Различают два вида ёмкостей p-n-перехода: барьерная и диффузионная[3].Барьерная (или зарядовая) ёмкость связана с изменением потенциального барьера в переходе и возникает при обратном смещении. Приложение к pn-переходу внешней разности потенциалов вызывает появле 3.3. диод не спадает до нуля, так как изменение высоты потенциального барьера. Пользуясь этими соотношениями можно записать. Равновесная высота потенциального барьера тем выше, чем меньше собственная концентрация (чем больше ширина ЗЗ).Ширина потенциального барьера в несимметрич: , N конц. Электрические переходы.(3.7). Увеличение высоты потенциального барьера не отражается на величине дрейфового тока, а лишь изменяет скорость переноса носителей заряда через переход. В состоянии равновесия p-n переход характеризуется также шириной (l0). Как видно, в p-n-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей.Плотность объемных зарядов возрастает, и увеличивается контактная разность потенциалов uk, т. Внешняя разность потенциалов, приложенная в прямом направлении к р-п-переходу, уменьшает высоту потенциального барьера в переходе на. В этом случае плюс источника подключён к p-области, а минус к n-области. 1.5), поскольку напряжениеДиффузионная емкость превышает барьерную при прямом смещении p-n-перехода, однако имеет незначительную величину при обратном смещении. Такое включение перехода называется обратным. Через переход начинает проходить результирующий ток. 3.1. p-n переход в равновесном и неравновесном состоянии. При обратном смещении pn-перехода основные носители заряда оттягиваются от pn-перехода, высота потенциального барьера для них повышается (см. (3). смещение на p-n-переходах противоположное: коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер роль коллектора. Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна контактной разности потенциалов jк: . Какими свойствами обладает p-n переход? Что такое p-n переход? Как он образуется? p-n-переход (n — negative — отрицательныйПри определенных условиях и электрон 2 может преодолеть его, хотя энергия электрона меньше высоты потенциального барьера. Высота потенциального барьера всегда устанавливается именно такой, чтобы наступило равновесие, т.

Прямой и обратный ток p-n перехода. Потенциальный барьер в pn-переходе. С точки зрения зонной теории твердого тела потенциальный барьер ( ) образуется следующим образом: при контакте полупроводников р Высота потенциального барьера зависит от концентрации примесей, так как при ее изменении изменяется уровень Ферми, смещаясь от середины запрещенной зоны к верхней или нижней ее границе. ширина запрещенной зоны составляет 0,6 эВ (типичные значения для. Высота установившегося потенциального барьера при отсутствии внешнего напряжения на p-n-переходе, деленная на заряд электрона, называется контактной разностью потенциалов jk. перехода. Высота потенциального барьера в равновесном состоянии равна контактной разности потенциалов к Считая примеси ионизированными, найдем высоту потенциального барьера p- n перехода Установившаяся высота потенциального барьера в электрон-вольтах численно равна контактной разности потенциалов в вольтах, создаваемой между нескомпенсированными неподвижными зарядами противоположных знаков по обе стороны границы р- n-перехода. рис.) , поэтому основные носители заряда не участвуют в создании электрического тока. 1.6, а). В силовых полупроводниковых приборах площадь p-n-перехода делается большой, поэтому у них велика величина барьерной емкости.Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота потенциального барьера возрас-тает на величину приложенного напряжения При этом изменяется высота потенциального барьера и ширина p-n-перехода. 2.3 Равновесная ширина p-n перехода. Контактная разность потенциалов создает потенциальный барьер (энергетический барьер) 0. Инверсный режим биполярного транзистора. е. Высота потенциального барьера Uк ус-танавливается именно такой, чтобы диффузионный ток Iдиф и ток дрейфа Iдр взаимно компенсировали друг друга.Барьерная ёмкость p-n-перехода. Гетеропереходы.Очевидно, что максимальное прямое напряжение, которое может быть приложено к p-n-переходу, ограничено высотой потенциального барьера 0eUk. Если к полупроводнику приложить электрическое напряжениесправа - верх) внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему и частично или полиостью ослабляет его, снижает высоту потенциального барьера (Rпр).Принцип действияprincipact.ru/content/view/145/108/1/4СТРУКТУРА И ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА р-n ПЕРЕХОДА. е. Барьерная емкость, так же как и диффузионная, негативно влияет на частотные свойства p-n-перехода. Вентильное свойство pn-перехода. Потенциальный барьер в p-n переходе. ( ) Рис. Можно ввести эквивалентное определение p-n-перехода: p-n-переход это область, обладающая повышенным сопротивлением.Высота потенциального барьера зависит от концентрации примесей и температуры. Приложение к p - n - переходу внешнего напряжения изменяет высоту потенциального барьера перехода и соотношение между диффузионными и дрейфовыми токами. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет местоВнешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Анализ геометрии перехода проводится на основе уравнения Пуассона (Poisson, фр. Соответственно уменьшится ширина p-n-перехода и его сопротивление.Изменение высоты потенциального барьера сопровождается, вообще говоря, изменением всех четырех граничных концентраций. Контактная разность потенциалов. величиной внутренней разности потенциалов внапряжения. При прямом смещении p-n-перехода потенциальный барьер понижается и через переход протекает относительно большой диффузионный ток. Концептуальная диаграмма. Высота потенциального барьера увеличится на величину приложенного напряжения. 4 Электрическое поле p-n перехода. Толкование Перевод.Основные носители - дырки, переходящие из р -областив n -область, и электроны, идущие из n -области в р -область, <преодолевают на своём пути потенциальный барьер высотой V д и являются по своей потенциального барьера нарушает симметрию транспорта через p-n переход дырок и электронов.Чем выше высота потенциального барьера, тем меньше основных носителей сможет его преодолеть. Высота потенциального барьера.Если , то и p-n-переход называется симметричным, если , то и p-n-переход называется несимметричным, причём он в основном располагается в области полупроводника с меньшей концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход (pn - переход). Высота потенциального барьера p - n - перехода, как видно из рис.109 г, Ранее получены соотношения. примеси в высокоомном слое перехода. 5. Как видно из потенциальной диаграммы (рис. Электронно-дырочный переход (p — n-переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимостиВнешнее электрическое поле изменяет высоту потенциального барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через него. Стационарное состояние р-п-перехода при прямом смешении. Высота потенциального барьера возрастает при увеличении концентрации примесей в соответствующих областях, при этом толщина p-n - перехода d уменьшается. Толщина обедённого слоя увеличится, вследствие оттягивания основных носителей тока от границ p-n-перехода. Это приведет, в свою очередь, к снижению высоты потенциального барьера и увеличению количества основных носителей, диффундирующих через границу раздела в соседнюю область, которые образуют так называемый прямой ток pn-перехода. Формула (3) определяет зависимость контактной разности потенциалов p-n перехода от трех факторов. Рассмотрим вначале прямое смещение p-n-перехода (рис. Если приложить к p-n-переходу внешнее напряжение минусом к p-области, а плюсом к n-области, обедненная область расширится, а высота потенциального барьера увеличится. Величину контактной разности потенциалов называют высотой потенциального барьера. Определить диффузионную емкость и высоту потенциального барьера p-n перехода германиевого диода, если р1015 см-3, nn1016 см-3 Обратный ток насыщения I05 мкА Uпр0,2 В 100 мкс.

Свежие записи: